细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
aln烧结设备
氮化铝陶瓷烧结解决方案
2019年12月3日 氮化铝陶瓷的烧结主要需要注意以下几点，首先是升温速率、烧结温度和保温时间，其次要选择合适的保护气氛防止AlN氧化，最后还要确保烧结设备有很好的温度均匀性。2017年8月28日 氮化铝作为共价键化合物，难以进行固相烧结。通常采用液相烧结机制，即向氮化铝原料粉末中加入能够生成液相的烧结助剂，并通过溶解产生液相，促进烧结。AlN烧结动 氮化铝（AlN）陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概述 2021年5月27日 要制备高热导率的AlN陶瓷，在烧结工艺中必须解决两个问题：第一是要提高材料的致密度，第二是在高温烧结时，要尽量避免氧原子溶入的晶格中。 常见的烧结方法如下： 1 氮化铝（AlN）陶瓷常见的烧结方法概述材料2022年6月17日 通过以下三种途径可以获得致密的高性能氮化铝陶瓷：（1）使用超细粉；（2）热压或等静压；（3）引入烧结助剂。 AlN基片较常用的烧结工艺一般有5种，即热压烧结、无压烧结、微波烧结、放电等离子烧结和自蔓延烧 火热的氮化铝（AlN ）陶瓷基板制备工艺简介 艾邦
HTCCAlN陶瓷基板高温烧结设备与烧结工艺曲线上
2024年4月12日 基于此，开发了高温烧结设备，进行氮化铝陶瓷高温烧结工艺试验，分析了烧结温度及时间、升降温速率、气体流量及炉体压强等因素对高温烧结产品性能的影响。2024年3月12日 氮化铝陶瓷基板烧结三大关键因素：助剂、工艺及气氛 氮化铝陶瓷具备优异的综合性能，是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷，是高密度、大功率和高速集成电路基板和封装的理想材料。 而在氮化铝—系列重要性质 氮化铝陶瓷基板烧结三大关键因素：助剂、工艺及气氛氮化铝 (AlN) 陶瓷的无压烧结是制造致密、高性能 AlN 部件的常用方法。 无压烧结是一种不需要外部压力即可实现致密化的过程。 以下是氮化铝陶瓷无压烧结工艺的概述： 1粉末制备：第一 无压烧结氮化铝陶瓷 英诺华 INNOVACERA2021年9月7日 氮化铝陶瓷常用的烧结技术有无压烧结、热压烧结、放电等离子烧结、微波烧结等。 无压烧结 热压烧结是对装入模具的粉体同时加热加压，使粉料处于热塑性状态，从而产生 【原创】 氮化铝陶瓷烧结技术大揭秘 中国粉体网
三管齐下，氮化铝陶瓷“低温烧结”妥妥的！
2021年1月16日 烧结工艺与设备 AlN陶瓷烧结工艺主要有：常压烧结、热压烧结、放电等离子烧结、微波烧结等。 常压烧结是一种烧结过程不施加任何额外压力的烧结方法，分为固相烧结 2021年11月25日 以上5中烧结工艺中，热压烧结是目前制备高热导率致密化AlN陶瓷的主要工艺。 二、烧结气氛 目前，AlN陶瓷烧结气氛有3种：中性气氛、还原型气氛和弱还原型气氛。中性气氛采用常用的N2、还原性气氛采用CO， 氮化铝基板烧结：助剂、工艺及气氛三大关键因素2019年12月3日 然而,由于AlN是以共价键结合为主的化合物,自扩散系数小, 难以烧结致密，所以AlN的烧结工艺是基片材料制作过程中的一处难点。 氮化铝陶瓷的烧结主要需要注意以下几点，首先是升温速率、烧结温度和保温时间，其次要选择合适的保护气氛防止AlN氧化，最后还要确保烧结设备有很好的温度均匀性。氮化铝陶瓷烧结解决方案 2021年9月2日 纳米AlN粉末由于其具有高的表面能从而具有高的烧结活性，同时能够制备出具有细晶粒组织的AlN陶瓷，根据霍尔佩奇公式：σ=σ0+ kd?1/2,材料的力学性能与晶粒尺寸有着密切的关系，拥有细小晶粒组织的高强度AlN基板能 北科大：氮化铝粉末制备方法的最新研究进展
半导体装备关键零部件——氮化铝陶瓷加热器（附相关厂商
利用AlN、Al2O3和Y2O3等特殊陶瓷材料为客户提供陶瓷零件：从用于半导体制造工艺的AlN加热器、ESC 陶瓷加热器（盘）主要材料是AlN，和复杂的钨电路烧结 而成，热响应速度快及温度均匀，且可集成温度传感器，应用于半导体行业中，晶圆工艺设备中 2023年3月31日 高导热氮化铝基片的烧结工艺重点包括烧结方式、烧结助剂的添加、烧结气氛的控制等。由于AlN属于共价化合物，自扩散系数小，烧结致密化非常困难，通常需要使用稀土金属氧化物和碱土金属氧化物作为烧结助剂来促进烧结，但仍需要1800℃以上的烧结温度。氮化铝（AlN?）陶瓷基板的制备工艺 知乎2021年5月27日 缺点：成型设备 昂贵，且存在脱模问题，限制了将其应用于大规模的工业生产。 3、流延成型 缺点：易出现欠注、飞边、熔接痕、气穴等缺陷影响AlN陶瓷烧结 。 图3注射成型工艺原理示意图 制备好的坯体需要经过高温烧结，才能获得高致密度 氮化铝（AlN）陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概述粉末氮化铝因高导热和绝缘性得到广泛应用，目前全球氮化铝应用市场处于高速成长期，对氮化铝的需求也在持续增长。氮化铝粉末是制备氮化铝陶瓷的关键原料，其性质对后续制备的氮化铝陶瓷性能有决定性影响。本文整理对比了微米级与纳米级氮化铝粉末的制备方法并对未来氮化铝粉末制备的 氮化铝粉末制备方法及研究进展 USTB
AlN陶瓷烧结技术及性能优化研究进展
2021年4月20日 AlN陶瓷烧结技术及性能优化研究进展[J] 耐火材料, 2022, 56(2): 180184 Wang Lulu, Ma Beiyue, Liu Chunming, Deng Chengji, Yu Jingkun Research progress on sintering technology and performance optimization of AlN ceramics[J] Refractories, 2022, 56(2 2023年3月31日 高导热氮化铝基片的烧结工艺重点包括 烧结方式、烧结助剂的添加、烧结气氛的控制 等。由于AlN属于共价化合物，自扩散系数小，烧结致密化非常困难，通常需要使用稀土金属氧化物和碱土金属氧化物作为烧结助剂来促进烧结，但仍需要1800℃以上的烧结温度。氮化铝（AlN ）陶瓷基板的制备工艺LTCC 亿瓷新材料2023年3月31日 高导热氮化铝基片的烧结工艺重点包括烧结方式、烧结助剂的添加、烧结气氛的控制等。 由于AlN属于共价化合物，自扩散系数小，烧结致密化非常困难，通常需要使用稀土金属氧化物和碱土金属氧化物作为烧结助剂来促进烧结，但仍需要1800℃以上的烧结温度。氮化铝（AlN?）陶瓷基板的制备工艺烧结生产性能2 天之前 氮化铝(AlN)陶瓷具有优良的热导率、电绝缘性能和介电性能，最重要的是其与硅的热膨胀系数相近，是较为理想的可用于基板和电子器件封装的半导体材料。本文综述了氮化铝的性能、陶瓷成型、烧结等 Aluminum nitride (AlN) ceramics have excellent thermal 氮化铝陶瓷的制备及研究进展 汉斯出版社
氮化铝行业研究：AlN应用性能出众，国产替代机遇
2023年4月3日 3AlN 产业链需求旺盛，上下游一体化企业优势显著 按 AlN 的主要制备与应用划分产业链，我们认为主要可以分为上游粉体制备， 中游基板制备，下游市场应用（金属化）。31氮化铝粉体至关重要，国内或由缺乏迎机遇 2024年9月6日 iTops PVD AlN 溅射系统主要用于2、4、6英寸AlN沉积工艺。该机台为单工艺腔室设备，配备传输腔室和冷却腔室。AlN设备具有占地面积小、结构简单、操作灵活、维修方便、耗材便宜等优势；具备与国际竞争对手同等的 PVD AlN 溅射系统 产品管理 北方华创2023年11月30日 一般是通过通孔金属化涂覆设备使得厚膜金属化浆料通过陶瓷基板的通孔，使得孔壁的内壁表面均匀的涂覆一层金属化浆料或者孔内填满金属化浆料。 通孔填充是HTCC技术的关键工艺之一，在填孔工序中，要确保通孔互连导通率达到100%。一文了解HTCC陶瓷金属化工艺及相关设备厂商 艾邦半导体网用于半导体制造的氮化铝（AlN）部件 活用氮化铝（AlN）高导热率和高耐腐蚀性，将其用于半导体制造设备部件。 MARUWA以培育多年的材料技术为基础，使用适合产品使用和形状生产的原始烧结工艺，生产半导体制造设备和医疗设备零件。MARUWA氮化铝（AlN）产品 寻找产品 MARUWA CO, LTD
氮化铝（AlN）烧结助剂的选择方法及分类 360powder
2017年8月21日 由于添加氧化物，会引入氧杂质，不利于 AlN基板的热学性能与机械性能的提高，如CaC 2 助烧剂与 AlN反应改变AlN与液相的界面自由能，影响AlN晶粒的生长和致密化。 图2为不同烧结助剂对AlN陶瓷的密度和抗弯强度的影响。 图 2 不同烧结助剂对烧结AlN陶瓷密度和抗弯 氮化铝（AlN）陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概 述 氮化铝（AlN）是一种六方纤锌矿结构的共价键化合物，晶体结构和微 观组织如图 1 所示。室温强度高、热膨胀系数小、抗熔融金属侵蚀的能力 强、介电性能良好，这些得天独厚的优点使其成为高导热材料而引起国内 外的普遍关注。【精品文章】氮化铝 (AlN)陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概述摘要： AlN(氮化铝)陶瓷具有各种优异的性能,尤其是高热导率和低介电性能,使其在电子基板封装材料,耐热材料等多个领域都有广泛的应用市场上多用常压烧结工艺来制备AlN陶瓷,但是该烧结工艺制备出的AlN陶瓷性能不佳,若想制备出热导率较高的烧结体则需要很高的烧结温度和较长的保温时间, AlN陶瓷高温热压烧结工艺及其性能的研究 百度学术2021年1月16日 添加大量的烧结助剂一方面能够降低烧结温度，但引入的晶界相的热导率大大低于AlN主晶相，会导致烧结体热导率的下降，因此应合理控制烧结助剂的添加量。烧结工艺与设备 AlN陶瓷烧结工艺主要有：常压烧结、热压烧结、放电等离子烧结、微波烧结等。三管齐下，氮化铝陶瓷“低温烧结”妥妥的！
一文了解氮化铝陶瓷成型工艺、设备及厂家中粉先进陶瓷
2021年10月23日 缺点：不能压制复杂几何形状的坯体；需严格控制压力大小，过大或过小均不利于得到高致密度AlN陶瓷烧结件。 干压成型设备及厂家 干压成型设备实景图(图片来源：天通吉成机器技术有限公司) 相关厂家： 德国Dorst、SMS Meer、Komage、Schuler2021年8月9日 氮化铝陶瓷(AlN)烧结助剂如何选择咨询钧杰陶瓷联系136 998 99025。 钧杰陶瓷常年致力于从事特种陶瓷材料的技术开发、产品设计制造以及现场施工，确保为用户提供优质的特种陶瓷防腐材料及工程服务。氮化铝陶瓷 (AlN)烧结助剂如何选择钧杰陶瓷2024年3月12日 烧结气氛 目前，AlN陶瓷烧结气氛有3种：中性气氛、还原型气氛和弱还原型气氛。中性气氛采用常用的N2、还原性气氛采用CO，弱还原性气氛则使用H2。在还原气氛中，AlN陶瓷的烧结时间及保温时间不宜过长，且其烧结 氮化铝陶瓷基板烧结三大关键因素：助剂、工艺及气氛2020年12月19日 钧杰陶瓷 1、常压烧结 这种烧结方法是AlN陶瓷传统的制备工艺。它主要是在常压烧结过程中，坯体不受外加压力的作用，仅在一般气压下经加热由粉末颗粒的聚集体转变为晶粒结合体，常压烧结工艺是加工烧结工艺中最简单的一种、也是使用较为广泛的一种烧结工艺。氮化铝陶瓷是任何烧结出来的 知乎
无压烧结AlN(Y2O3)陶瓷热导率的温度关系 真空技术网
2014年11月13日 本实验采用无压烧结技术，以Y2O3为烧结助剂制备AlN陶瓷。闪光法测试AlN陶瓷在室温到300℃的温度关系。结果表明：在25～300℃，AlN陶瓷热导率随温度升高而降低；热导率较高的AlN试样热扩散系数和热导率随测试温度升高而下降得更快；Y2O3 2021年9月7日 不添加任何烧结助剂的微波烧结法被认为是一条获得AlN透明陶瓷非常有前途的低成本化技术途径，但是受微波烧结设备的限制，通常很难获得较低的烧结温度，因此，有必要开展微波低温烧结工艺制备AlN透明陶瓷的研究。【原创】 氮化铝陶瓷烧结技术大揭秘 中国粉体网例如，常规碳热还原氮化法制备的AlN粉体通过等离子活化烧结（PAS）工艺在1500℃就能够得到致密度为324gcm3的AlN陶瓷，且具有较高的热导率（69Wm1K1）；而前驱体碳热还原氮化法制备的AlN粉体通过PAS烧结，在1450℃就能够得到致密度为327g 碳热还原氮化法制备AlN粉体及其烧结性能研究 Details 2022年6月7日 AlN 陶瓷的烧结 方法主要有热压烧结、无压烧结、微波烧结、放电等离子烧结等方法 另一种常见的快速烧结方法是放电等离子烧结。由于普通的烧结设备升温速率较慢，无法快速烧结使陶瓷达到致密化。在烧结炉中将材料快速移动可以达到快速 高热导电绝缘氮化铝陶瓷在宇航器件中的应用：概述、挑战和
氮化铝陶瓷常见的烧结方式 知乎
2021年6月7日 AlN烧结 动力：粉末的比表面能、晶格缺陷、固液相之间的毛细力等。要制备高热导率的AlN陶瓷，在烧结工艺中必须解决两个问题：第一是要提高材料的致密度，第二是在高温烧结时，要尽量避免氧原子溶入的晶格中。常见的烧结方法如下 2016年3月16日 AlN Sputter设备可提高缓冲层与GaN外延层的晶格匹配度，提高LED产品的输出效率，拓宽MOCVD设备的工艺窗口，使产品的ESD测试通过率大幅提高；减低MOCVD的外延生长时间，提高产能，使整线的生产成本降低。北方微电子AlN PVD设备引领LED行业技术发展 企业新闻 2018年2月8日 其技术水平及产业化程度远远落后，产品主要依赖进口，尚未形成产业化、规模化。“烧结”作为AlN 陶瓷基片的最后一道工艺，决定成品性能及质量最终能否满足要求并大规模市售。本研究针对烧结曲线中主要参数深入分析，对莱鼎电子材料有限 AlN陶瓷基片烧结曲线的研究与优化 百度文库2021年11月25日 以上5中烧结工艺中，热压烧结是目前制备高热导率致密化AlN陶瓷的主要工艺。 二、烧结气氛 目前，AlN陶瓷烧结气氛有3种：中性气氛、还原型气氛和弱还原型气氛。中性气氛采用常用的N2、还原性气氛采用CO， 氮化铝基板烧结：助剂、工艺及气氛三大关键因素
氮化铝陶瓷烧结解决方案
2019年12月3日 然而,由于AlN是以共价键结合为主的化合物,自扩散系数小, 难以烧结致密，所以AlN的烧结工艺是基片材料制作过程中的一处难点。 氮化铝陶瓷的烧结主要需要注意以下几点，首先是升温速率、烧结温度和保温时间，其次要选择合适的保护气氛防止AlN氧化，最后还要确保烧结设备有很好的温度均匀性。2021年9月2日 纳米AlN粉末由于其具有高的表面能从而具有高的烧结活性，同时能够制备出具有细晶粒组织的AlN陶瓷，根据霍尔佩奇公式：σ=σ0+ kd?1/2,材料的力学性能与晶粒尺寸有着密切的关系，拥有细小晶粒组织的高强度AlN基板能 北科大：氮化铝粉末制备方法的最新研究进展利用AlN、Al2O3和Y2O3等特殊陶瓷材料为客户提供陶瓷零件：从用于半导体制造工艺的AlN加热器、ESC 陶瓷加热器（盘）主要材料是AlN，和复杂的钨电路烧结 而成，热响应速度快及温度均匀，且可集成温度传感器，应用于半导体行业中，晶圆工艺设备中 半导体装备关键零部件——氮化铝陶瓷加热器（附相关厂商 2023年3月31日 高导热氮化铝基片的烧结工艺重点包括烧结方式、烧结助剂的添加、烧结气氛的控制等。由于AlN属于共价化合物，自扩散系数小，烧结致密化非常困难，通常需要使用稀土金属氧化物和碱土金属氧化物作为烧结助剂来促进烧结，但仍需要1800℃以上的烧结温度。氮化铝（AlN?）陶瓷基板的制备工艺 知乎
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2021年5月27日 缺点：成型设备 昂贵，且存在脱模问题，限制了将其应用于大规模的工业生产。 3、流延成型 缺点：易出现欠注、飞边、熔接痕、气穴等缺陷影响AlN陶瓷烧结 。 图3注射成型工艺原理示意图 制备好的坯体需要经过高温烧结，才能获得高致密度 氮化铝因高导热和绝缘性得到广泛应用，目前全球氮化铝应用市场处于高速成长期，对氮化铝的需求也在持续增长。氮化铝粉末是制备氮化铝陶瓷的关键原料，其性质对后续制备的氮化铝陶瓷性能有决定性影响。本文整理对比了微米级与纳米级氮化铝粉末的制备方法并对未来氮化铝粉末制备的 氮化铝粉末制备方法及研究进展 USTB2021年4月20日 AlN陶瓷烧结技术及性能优化研究进展[J] 耐火材料, 2022, 56(2): 180184 Wang Lulu, Ma Beiyue, Liu Chunming, Deng Chengji, Yu Jingkun Research progress on sintering technology and performance optimization of AlN ceramics[J] Refractories, 2022, 56(2 AlN陶瓷烧结技术及性能优化研究进展2023年3月31日 高导热氮化铝基片的烧结工艺重点包括 烧结方式、烧结助剂的添加、烧结气氛的控制 等。由于AlN属于共价化合物，自扩散系数小，烧结致密化非常困难，通常需要使用稀土金属氧化物和碱土金属氧化物作为烧结助剂来促进烧结，但仍需要1800℃以上的烧结温度。氮化铝（AlN ）陶瓷基板的制备工艺LTCC 亿瓷新材料
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